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<p>Verfahren zum einseitigen Glattätzen (16) eines Siliziumsubstrats (50), bei welchem zumindest auf einer ersten Seite des Siliziumsubstrats eine Schutzschicht (54; 56) ausgebildet wird (12; 24), nachfolgend eine zweite Seite des Siliziumsubstrats (50) mittels einer alkalischen Ätzlösung glattgeätzt wird (16), welche eine Temperatur im Bereich zwischen 50°C und 90°C aufweist, und während dieses Glattätzens (16) diejenigen Be¬ reiche des Siliziumsubstrats (50), auf welchen die Schutzschicht (54; 56) ausgebildet worden ist, mittels der Schutzschicht (54; 56) gegenüber einem Einwirken der Ätzlösung geschützt werden.</p> |
