发明名称 CMOS图像传感器的像素单元组及CMOS图像传感器
摘要 本发明公开了一种CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器,该CMOS图像传感器的像素单元:包括由4个像素排列成2×2像素阵列结构作为一组像素单元,其中第一列和第二列中的两个像素分别在列内共享行选择晶体管、源跟随晶体管、复位晶体管和漂浮有源区,并且第一列两个像素和第二列两个像素形成背靠背式排列结构;多组像素单元在垂直和水平方向上排列成为二维像素阵列。在像素阵列中,省去了行选择晶体管栅极时序控制金属线,电源线和列像素信号输出线共享一条列金属线。因此本发明的像素阵列能够有效提高小面积像素传感器的用光效率,从而提高灵敏度,所以本发明有效提高了小面积像素图像传感器的图像品质。
申请公布号 CN103165636A 申请公布日期 2013.06.19
申请号 CN201310092571.8 申请日期 2013.03.21
申请人 北京思比科微电子技术股份有限公司 发明人 郭同辉;唐冕;陈杰;刘志碧;旷章曲
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 代理人 郑立明;赵镇勇
主权项 一种CMOS图像传感器的像素单元组,包括具有光电二极管和与光电二极管连接的电荷传输晶体管的像素组,其特征在于,所述像素组包含4个像素,排列成2×2像素背靠背式阵列结构,其中每一列的两个像素在列内共享行选择晶体管、源跟随晶体管、复位晶体管和漂浮有源区;同一列像素中共享的行选择晶体管的栅极和源极相互连接;第一列像素中的复位晶体管的漏极、源跟随晶体管的源极与第二列像素的行选择晶体管的栅极和源极相互连接;一列像素中的行选择晶体管和源跟随晶体管设置于该列像素的顶部,另一列像素的行选择晶体管和源跟随晶体管设置于该列像素的底部。
地址 100085 北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室