| 发明名称 | 终端环的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种终端环的制造方法；包括以下步骤：步骤1、沉积场氧与高阻多晶硅；步骤2、场氧层光刻，刻蚀多晶硅至氧化层，然后切换刻蚀工艺，以多晶硅为硬掩模层部分刻蚀场氧；步骤3、各向同性刻蚀场氧至硅基板；步骤4、沉积金属；步骤5、刻蚀金属，去掉高阻多晶硅表面的金属。本发明缩小终端环的面积，同时提高终端环的性能，降低工艺成本和工厂运营成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103165450A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN201110407326.2 | 申请日期 | 2011.12.09 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 王雷 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 孙大为 |
| 主权项 | 一种终端环的制造方法；其特征在于，包括以下步骤：步骤1、沉积场氧与高阻多晶硅；步骤2、场氧层光刻，刻蚀多晶硅至氧化层，然后切换刻蚀工艺，以多晶硅为硬掩模层部分刻蚀场氧；步骤3、各向同性刻蚀场氧至硅基板；步骤4、沉积金属；步骤5、刻蚀金属，去掉高阻多晶硅表面的金属。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||