发明名称 半导体装置
摘要 本发明提供一种半导体装置。在使管芯焊盘(8d)的下表面(8db)从密封体(4)的下表面(4b)露出的芯片层叠结构的QFP(6)中,将半导体芯片(2)搭载于远离管芯焊盘(8d)的位置(第二层),其中在半导体芯片(2)的表面形成有由在骨架中至少含有苯并环丁烯作为有机单体的高分子构成的BCB膜,由此即使水分从管芯焊盘(8d)和密封体(4)的界面浸入,也能够延长水分到达该半导体芯片(2)的时间,使吸湿不良的发生变困难。根据本发明,能够抑制半导体装置的可靠性的降低。
申请公布号 CN103165557A 申请公布日期 2013.06.19
申请号 CN201210480610.7 申请日期 2012.11.16
申请人 瑞萨电子株式会社 发明人 金本光一
分类号 H01L23/488(2006.01)I 主分类号 H01L23/488(2006.01)I
代理机构 北京市金杜律师事务所 11256 代理人 杨宏军
主权项 一种半导体装置,其特征在于,包括:管芯焊盘,其具有上表面、及与所述上表面相反一侧的下表面;多个引脚,其配置在所述管芯焊盘的周围;第一半导体芯片,其包括:第一主面、形成在所述第一主面上的第一半导体元件、形成在所述第一主面上并与所述第一半导体元件电连接的多个第一电极焊盘、以露出所述多个第一电极焊盘的方式形成在所述第一主面上的第一保护膜、及与所述第一主面相反一侧的第一背面,并且所述第一半导体芯片以所述第一背面与所述管芯焊盘的所述上表面相对的方式搭载于所述管芯焊盘上;第二半导体芯片,其包括:第二主面、形成在所述第二主面上的第二半导体元件、形成在所述第二主面上并与所述第二半导体元件电连接的多个第二电极焊盘、以露出所述多个第二电极焊盘的方式形成在所述第二主面上的第二保护膜、及与所述第二主面相反一侧的第二背面,并且所述第二半导体芯片以所述第二背面与所述第一半导体芯片的所述第一主面相对的方式搭载于所述第一半导体芯片上;多个第一导电性构件,其分别电连接所述多个第一电极焊盘和所述多个引脚;多个第二导电性构件,其分别电连接所述多个第一电极焊盘和所述多个第二电极焊盘;以及密封体,其以所述管芯焊盘的所述下表面露出的方式密封所述电极焊盘、所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、所述多个第一导电性构件、及所述多个第二导电性构件,所述第二保护膜由在骨架中含有苯并环丁烯作为有机单体的高分子构成。
地址 日本神奈川县