发明名称 一种射线探测器及其制作方法
摘要 本发明公开了一种射线探测器及其制作方法。在基板上依次形成栅极层和绝缘层,并在形成有上述绝缘层的基板上形成光电二极管和源漏极层;令该源漏极层的漏极与上述光电二极管相连接,并在上述源漏极层上形成有源层,令该有源层与所述绝缘层相接触;在上述有源层上以及上述源漏极层上形成第一钝化层;在上述光电二极管上,源漏极层上,以及第一钝化层上形成导电薄膜层,并在导电薄膜层上制作第二钝化层。采用本发明技术方案相比现有技术减少了掩膜次数,有效缩短了生产周期,提高了生产效率,降低了制作成本,并且提高射线探测器的灵敏度,减小了射线探测器的功耗。
申请公布号 CN103165635A 申请公布日期 2013.06.19
申请号 CN201310077728.X 申请日期 2013.03.12
申请人 北京京东方光电科技有限公司 发明人 田宗民;阎长江;谢振宇
分类号 H01L27/146(2006.01)I 主分类号 H01L27/146(2006.01)I
代理机构 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人 黄志华
主权项 一种射线探测器,其特征在于,包括:基板;形成在所述基板上的栅极层;形成在所述栅极层上的绝缘层;在形成有所述绝缘层的基板上形成的光电二极管;在形成有所述绝缘层的基板上形成的源漏极层,所述源漏极层的漏极与所述光电二极管相连接;形成在所述源漏极层上的有源层,所述有源层连接所述源漏极层;形成在所述有源层上以及所述源漏极层上的第一钝化层,并在所述第一钝化层上开设过孔;形成在所述光电二极管上、第一钝化层上及所述过孔中的导电薄膜层。
地址 100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号
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