制造电容器、动态随机存取存储器阵列及电子系统的方法

摘要

一些实施例包括利用含碳支撑材料来制造螺栓型电容器的方法。开口可经形成而穿过所述含碳支撑材料达电节点，且随后导电材料可在所述开口内生长。接着可移除所述含碳支撑材料，且将所述导电材料用作螺栓型电容器的螺栓型存储节点。所述螺栓型电容器可并入到动态随机存取存储器(DRAM)中，且所述DRAM可用于电子系统中。

主权项

一种形成电容器的方法，其包含：在半导体衬底上形成支撑材料，所述支撑材料含有至少20at％的碳，所述支撑材料包含分散于所述碳内的钛；形成穿过所述支撑材料达所述衬底的开口，所述支撑材料具有一厚度且所述开口具有在所述支撑材料的所述厚度内的20∶1或大于20∶1的纵横比；在所述开口内生长螺栓型电容器的螺栓型电极；所述螺栓型电极具有从所述螺栓型电极的顶部延伸到所述螺栓型电极的底部的侧壁表面；所述生长所述螺栓型电极包含在所述开口内且从所述半导体衬底的含半导体上表面外延生长硅和锗中的一者或两者；移除所述支撑材料；在移除所述支撑材料之后，在所述螺栓型电极上形成电容器电介质材料；及在所述电容器电介质材料上形成第二电容器电极。