| 发明名称 | 用于制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于制造半导体器件的方法，包括：提供衬底和浅隔离沟槽结构硅片，在PMOS和NMOS区域上形成栅氧化层和栅电极；在PMOS和NMOS的栅电极上分别形成间隙绝缘层，在衬底背面形成第一绝缘层；在间隙绝缘层上形成间隙壁，在第一绝缘层背面形成第二绝缘层；在硅片上形成蚀刻停止层，在蚀刻停止层上形成第一高应力诱发层；干法刻蚀PMOS区域上的第一高应力诱发层并用标准清洗液清洗硅片后退火，形成第二高应力诱发层；干法刻蚀第二高应力诱发层。由于采用干法刻蚀工艺刻蚀第二高应力诱发层，避免现有刻蚀工艺将第二绝缘层去除。第一绝缘层和第二绝缘层将衬底与机台隔离，避免等离子体处理过程中从栅电极向衬底产生放电破坏栅电极，造成半导体器件等离子体损伤问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102082126B | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN200910199444.1 | 申请日期 | 2009.11.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵林林;韩宝东 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：提供已包括衬底和浅隔离沟槽结构的硅片，分别在PMOS和NMOS区域上形成栅氧化层和栅电极；在PMOS和NMOS的栅电极上分别形成间隙绝缘层，在衬底背面形成第一绝缘层；在间隙绝缘层上形成间隙壁，并在第一绝缘层背面形成第二绝缘层；在硅片正面形成蚀刻停止层，接着在蚀刻停止层上形成第一高应力诱发层；干法刻蚀PMOS区域上的部分第一高应力诱发层并用标准清洗液清洗硅片并高温退火，形成第二高应力诱发层；干法刻蚀NMOS区域上第二高应力诱发层，不去除衬底背面的第一绝缘层和第二绝缘层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||