沟渠式金氧半导体元件的制作方法

摘要

本发明公开了一种沟渠式金氧半导体元件的制作方法。首先，提供一半导体底材；随后，制作多个栅极沟渠于此半导体底材内；接下来，制作一侧壁保护层于栅极沟渠的侧壁，并以此侧壁保护层为掩膜，植入氧离子至栅极沟渠的底部，藉以在栅极沟渠的底面生成一底部氧化层，以达到降低栅极至漏极的电容值的目的。

主权项

一种沟渠式金氧半导体元件的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体底材；制作多个栅极沟渠于所述半导体底材内；沿着所述半导体底材的表面起伏，沉积一保护层，利用非等向性蚀刻制程去除位于这些栅极沟渠底面的部分所述保护层，以形成多个侧壁保护层于所述栅极沟渠的侧壁；以这些侧壁保护层为掩膜，植入氧离子至所述栅极沟渠的底部；去除该侧壁保护层；在去除该侧壁保护层之后，同时生成一栅极氧化层与一底部氧化层，所述栅极氧化层位于所述栅极沟渠的侧壁，所述底部氧化层位于所述栅极沟渠的底面，所述底部氧化层是由所述氧离子经热氧化制程后形成的氧化物与所述栅极沟渠底面形成的氧化物构成；制作多个多晶硅栅极于这些栅极沟渠内。