发明名称 |
一种基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法 |
摘要 |
本发明涉及一种基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法,步骤如下:将硅片置于有氧环境下进行高温扩散形成PN结,同时硅片上表面被氧化;除去硅片顶电极区以外的氧化层;在硅片上表面淀积本征非晶硅层;将硅片置于湿氧环境中进行高温扩散,使非顶电极区的掺杂元素逆向扩散入非晶硅层,顶电极区氧化层中的掺杂元素向顶电极区扩散,同时非晶硅层及非顶电极区的硅片表面被氧化形成氧化层;去除硅片表面的氧化层,完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。本发明采用逆扩散的方法,通过非晶硅吸收非顶电极区的杂质,使非顶电极区的掺杂浓度降低,同时顶电极区进行了二次掺杂,导致顶电极区与非顶电极区的掺杂浓度差进一步增大,提高了选择性掺杂的效果。 |
申请公布号 |
CN103165758A |
申请公布日期 |
2013.06.19 |
申请号 |
CN201310111198.6 |
申请日期 |
2013.04.01 |
申请人 |
南通大学 |
发明人 |
花国然;王强;朱海峰;姚滢;张华 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245 |
代理人 |
石敏 |
主权项 |
基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法,包括如下步骤:第1步、将硅片置于湿氧环境下进行高温扩散,形成PN结,同时硅片上表面生成氧化层,该氧化层中含有高浓度的掺杂元素;第2步、除去硅片上表面顶电极区以外的氧化层;第3步、在硅片上表面淀积本征非晶硅层;第4步、将硅片置于湿氧环境中进行高温扩散,使硅片非顶电极区的掺杂元素扩散入非晶硅层,降低硅片非顶电极区掺杂元素浓度,实现掺杂元素的逆向扩散;顶电极区氧化层中的掺杂元素向顶电极区扩散,实现顶电极区的重掺杂,同时非晶硅层及非顶电极区的硅片表面被氧化形成氧化层;第5步、去除硅片表面的氧化层,完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。 |
地址 |
226019 江苏省南通市啬园路9号南通大学电子信息学院 |