检测图形片硅研磨速率的方法

摘要

本发明公开了一种检测图形片硅研磨速率的方法，包括以下步骤：步骤一、测量并记录图形结构片特定量测图形不同位置的初始断差；步骤二、选择几枚硅生长厚度相当的图形片，用化学机械抛光设备对每一枚外延片以不同时间进行研磨；步骤三、对每一枚用不同时间研磨的硅图形结构片在特定量测图形位置的断差后值进行测量并记录后值；步骤四、对每一枚硅图形结构片的断差后值和不同的研磨时间作图得出直线。此直线的斜率K即为在硅片任意位置处的研磨速率。本发明可以获得可以准确测定任何不同图形片的硅研磨速率，快速有效。不同于切片对硅片的破坏性检测，对硅片的再利用率高。

主权项

一种检测图形片硅研磨速率的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、测量并记录图形结构片特定量测图形不同位置的的初始断差；步骤二、选择几枚硅生长厚度相当的图形片，用化学机械抛光设备对每一枚外延片以不同时间进行研磨；步骤三、对每一枚用不同时间研磨的硅图形结构片在特定量测图形位置的断差后值进行测量并记录后值；步骤四、对每一枚硅图形结构片的断差后值和不同的研磨时间得出直线，此直线的斜率K即为在硅片任意位置处的研磨速率。