发明名称 |
一种利用H<sub>2</sub>腐蚀和SiN<sub>x</sub>掩埋提高AlGaN材料质量的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种提高AlGaN材料的MOCVD生长方法。该方法采用H2腐蚀AlGaN材料的方法,获得图形化的位错坑,再在此基础上沉积SiNx作为位错掩埋层,从而提高对位错弯曲和阻挡的能力,改善AlGaN材料的晶体质量。同普通的AlGaN材料ICP刻蚀图形化生长及传统的SiNx原位掩埋技术相比,该方法工艺简单,不需要二次生长。此外该方法利用H2腐蚀对缺陷的选择性,可以形成很好的位错坑,将SiNx定位于位错坑中,可以很好地提高对位错阻挡的效率,而且可以避免AlGaN材料的三维岛状生长。 |
申请公布号 |
CN103165434A |
申请公布日期 |
2013.06.19 |
申请号 |
CN201310031457.4 |
申请日期 |
2013.01.28 |
申请人 |
华中科技大学 |
发明人 |
田武;张骏;鄢伟一;戴江南;陈长清 |
分类号 |
H01L21/306(2006.01)I;H01L21/318(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/306(2006.01)I |
代理机构 |
江西省专利事务所 36100 |
代理人 |
胡里程 |
主权项 |
一种利用H2腐蚀和SiNx掩埋提高AlGaN材料质量的方法,其步骤:步骤1. 在蓝宝石基片上,利用MOCVD工艺,生长低温AlN成核层; 步骤2. 在蓝宝石基片上,利用MOCVD工艺,生长高温AlN成核层;步骤3. 在高温 AlN本征层上,生长本征的AlGaN层;步骤4. 在本征AlGaN层上,利用H2腐蚀出一定深度的位错坑;步骤5. 在腐蚀后的AlGaN模板上进行SiNx原位掩埋;步骤6. 在沉积了SiNx小岛的AlGaN材料上继续生长1.5μm的AlGaN材料。 |
地址 |
430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 |