| 发明名称 | 栅极边缘位错的夹断控制 | ||
| 摘要 | 所描述的工艺和结构的实施例提供了一种用于改善载流子迁移率的机构。通过首先分配(amortizing)源极和漏极区域，然后通过使用退火工艺在低预热温度下再结晶该区域将位错形成在位于栅极结构之间或位于栅极结构和隔离结构之间的栅极或漏极区域中。可以在再结晶区域上方形成掺杂外延材料。由掺杂外延材料产生在源极或漏极区域中的位错和应变有助于提高载流子迁移率。本发明还提供了一种栅极边缘位错的夹断控制。 | ||
| 申请公布号 | CN103165536A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN201210189956.1 | 申请日期 | 2012.06.08 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 蔡俊雄;王参群 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L29/32(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：提供具有栅极堆叠件的衬底；实施预非晶注入(PAI)工艺，以在所述衬底上形成非晶区域；以及实施退火工艺，以再结晶所述非晶区域，从而形成再结晶区域，其中，所述退火工艺包括：在大约400℃至大约750℃的范围内的温度下进行预热，并且退火温度等于或大于大约900℃。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||