图形衬底

摘要

本实用新型涉及一种图形衬底，包括基本衬底，在基本衬底的正面刻蚀形成以阵列形式排列的图形凸起；其特征是：所述图形凸起由多层凸起组成，每一层凸起的宽度自下而上递减，上一层凸起的底部宽度与下一层凸起的顶部宽度相同；所述图形凸起的最上一层凸起的形状为多边锥形、多边柱形、多边梯形或多边方台形。所述基本衬底为蓝宝石衬底、碳化硅衬底或硅衬底。所述图形凸起的材料与基本衬底的材料相同。所述图形凸起最上一层凸起的材料与基本衬底的材料不同，图形凸起最上一层以下的凸起材料与基本衬底的材料相同；所述图形凸起最上一层凸起的材料为SiO2、Si3N4、ZnO2、Si或GaAs。本实用新型增加了反射面，减少光在内部的多次反射，可以有效地提高芯片的光提取效率。

主权项

一种图形衬底，包括基本衬底（1），在基本衬底（1）的正面刻蚀形成以阵列形式排列的图形凸起（2）；其特征是：所述图形凸起（2）由多层凸起组成，每一层凸起的宽度自下而上递减，上一层凸起的底部宽度与下一层凸起的顶部宽度相同。