| 发明名称 | 一种砷化镓基激光二极管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种采用镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜的激光二极管，该激光二极管的结构为：n型氧化镍薄膜，其形成在砷化镓衬底的上表面上；镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜，其形成在所述n型氧化镍薄膜的上表面上，以及底电极，其形成在所述n型氧化镍薄膜下表面上，顶电极，其形成在所述镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜的上表面上。 | ||
| 申请公布号 | CN103166110A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN201310064564.7 | 申请日期 | 2013.02.28 |
| 申请人 | 溧阳市宏达电机有限公司 | 发明人 | 童小春 |
| 分类号 | H01S5/327(2006.01)I;H01S5/042(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/327(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人 | 黄明哲 |
| 主权项 | 一种采用镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜的激光二极管，该激光二极管的结构为：n型氧化镍薄膜，其形成在砷化镓衬底的上表面上；镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜，其形成在所述n型氧化镍薄膜的上表面上，以及底电极，其形成在所述n型氧化镍薄膜下表面上，顶电极，其形成在所述镁砷共掺杂p型氧化锌薄膜的上表面上。 | ||
| 地址 | 213300 江苏省常州市溧阳市北门东路86号 | ||