| 发明名称 | 用于制造半导体器件的复合晶圆 | ||
| 摘要 | 复合晶圆包括具有第一竖直厚度和一个顶部表面的第一衬底，所述顶部表面被制备处于用于随后的半导体材料外延沉积的状态。一个载体衬底被布置在所述第一衬底下方。所述载体衬底具有大于所述第一竖直厚度的第二竖直厚度。一间层将所述第一衬底键合至所述载体衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN103165625A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN201210545802.1 | 申请日期 | 2012.12.14 |
| 申请人 | 电力集成公司 | 发明人 | A·康迪莫夫;J·拉姆德尼;K·斯瓦米纳坦 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 杨勇;郑建晖 |
| 主权项 | 一种复合晶圆，包括：第一衬底，具有第一竖直厚度和一个顶部表面，所述顶部表面被制备处于用于随后的半导体材料外延沉积的状态；一个载体衬底，布置在该第一衬底下方，该载体衬底具有大于所述第一竖直厚度的第二竖直厚度；以及一个间层，将所述第一衬底键合至所述载体衬底。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||