金属栅极形成方法

摘要

一种金属栅极形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一伪栅和第二伪栅；除去所述第二伪栅，形成第二沟槽，在所述第二沟槽侧壁、底部表面形成第二功能层和第二牺牲层；除去第一区域的第二牺牲层和第二功能层，暴露出所述第一伪栅；除去所述第一伪栅，形成第一沟槽，在所述第一沟槽侧壁、底部表面形成第一功能层和第一牺牲层；除去所述第一牺牲层和第二牺牲层，在所述第一功能层和第二功能层表面形成金属电极层，对所述金属电极层、第一功能层和第二功能层进行化学机械研磨工艺，形成第一金属栅极和第二金属栅极。由于只需要一次化学机械研磨工艺研磨金属电极层形成金属栅极，可有效地控制金属栅极的高度。

主权项

一种金属栅极形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述半导体衬底的第一区域上形成有第一伪栅，所述半导体衬底的第二区域上形成有第二伪栅，所述半导体衬底表面形成覆盖第一伪栅和第二伪栅的层间介质层；对所述层间介质层进行平坦化直到暴露出所述第一伪栅和第二伪栅；除去所述第二伪栅，形成第二沟槽，在所述第二沟槽侧壁、底部、及层间介质层表面形成第二功能层，在所述第二功能层表面形成第二牺牲层；除去第一区域的第二牺牲层和第二功能层，暴露出所述第一伪栅；除去所述第一伪栅，形成第一沟槽，在所述第一沟槽侧壁、底部、层间介质层、及第二牺牲层表面形成第一功能层，在所述第一功能层表面形成第一牺牲层；除去所述第一牺牲层和第二牺牲层，暴露出所述第一功能层和第二功能层；在所述第一功能层和第二功能层表面形成金属电极层，对所述金属电极层、第一功能层和第二功能层进行化学机械研磨工艺，形成第一金属栅极和第二金属栅极。