发明名称 | 单羟基修饰八乙烯基笼型倍半硅氧烷及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种单羟基修饰八乙烯基笼型倍半硅氧烷及其制备方法。笼型倍半硅氧烷即可以作为有机无机杂化材料的前驱体,也在液晶材料,阻燃材料,电致发光材料上有极大的应用潜力。而这其中,笼型倍半硅氧烷在基体中的分散性是发挥其性能的核心问题。目前能够合成的官能化笼型倍半硅氧烷均为单一活性,也通常具有过程复杂,成本较高,产率低的劣势。本发明已工业化的乙烯基笼型倍半硅氧烷为原料,以三氟甲磺酸基修饰体为过渡,经过水解得到单羟基修饰八乙烯基笼型倍半硅氧烷,该方法成本低,过程简单,产率高,适合大规模工业化生产,同时也在POSS上接枝两种反应活性的官能团,极大提高其接枝改性的选择范围,具有良好的实用价值。 | ||
申请公布号 | CN103159795A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
申请号 | CN201310084358.2 | 申请日期 | 2013.03.15 |
申请人 | 北京化工大学 | 发明人 | 陈广新;徐毅辉;李齐方;张文静 |
分类号 | C07F7/21(2006.01)I | 主分类号 | C07F7/21(2006.01)I |
代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人 | 刘萍 |
主权项 | 1.一种单羟基修饰八乙烯基笼型倍半硅氧烷,其结构式如下:<img file="FDA00002926397500011.GIF" wi="704" he="472" /> | ||
地址 | 100029 北京市朝阳区北三环东路15号 |