蓝宝石基板的蚀刻方法

摘要

本发明是一种蓝宝石基板的蚀刻方法，其在半导体发光元件所用的蓝宝石基板上形成光刻胶图案，照射波长为400nm以下的紫外线后，将上述光刻胶图案作为掩模进行干式蚀刻，其具备以下步骤：预烘烤步骤，在涂布光刻胶后、照射紫外线之前，以较上述紫外线的照射时更高的温度对上述蓝宝石基板进行加热；后烘烤步骤，在照射紫外线后，以较预烘烤步骤更高的温度对上述蓝宝石基板进行加热；及蚀刻步骤，在上述后烘烤步骤后，将上述光刻胶图案作为掩模进行干式蚀刻，藉此在上述蓝宝石基板上形成多个侧壁相对于该蓝宝石基板的表面的角度为90°以下的凸部。

主权项

一种蓝宝石基板的蚀刻方法，其在半导体发光元件所用的蓝宝石基板上形成光刻胶图案，照射波长为400nm以下的紫外线后，以该光刻胶图案为掩模进行干式蚀刻，该蓝宝石基板的蚀刻方法具备以下步骤：预烘烤步骤，在涂布光刻胶后、照射紫外线之前，以较该紫外线的照射时更高的温度对该蓝宝石基板进行加热；后烘烤步骤，在照射紫外线后，以较预烘烤步骤更高的温度对该蓝宝石基板进行加热；以及蚀刻步骤，在该后烘烤步骤后，以该光刻胶图案为掩模进行干式蚀刻，藉此在该蓝宝石基板上形成多个侧壁相对于该蓝宝石基板表面的角度为90°以下的凸部。