| 发明名称 | 具有晶体管区域互连的半导体设备 | ||
| 摘要 | 本发明揭露一种具有晶体管区域互连的半导体设备，其中提供一种用于实现至少一个逻辑组件的半导体设备。该半导体设备包含半导体衬底，其具有形成于该半导体衬底上的第一晶体管与第二晶体管。所述晶体管各包含源极、漏极与栅极。沟槽硅化物层使该第一晶体管的源极或漏极中之一电气连接至该第二晶体管的源极或漏极中之一。 | ||
| 申请公布号 | CN103165570A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN201210539484.8 | 申请日期 | 2012.12.13 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | M·拉希德;I·Y·林;S·索斯;J·金;C·阮;M·泰拉比;S·约翰逊;S·坎格瑞;S·文卡特桑 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种半导体设备，包含：半导体衬底；形成于该半导体衬底上的第一晶体管及第二晶体管；所述晶体管各包含源极、漏极与栅极；以及沟槽硅化物层，其将该第一晶体管的该源极或该漏极之一电气连接至该第二晶体管的该源极或该漏极之一。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||