| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置设有：GaN层（2）、与GaN层（2）的Ga面形成肖特基接合的阳极电极（4）以及位于阳极电极（4）的至少一部分与GaN层（2）之间的InGaN层（3）。 | ||
| 申请公布号 | CN103168362A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN201080069639.5 | 申请日期 | 2010.10.20 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 冈本直哉;美浓浦优一 |
| 分类号 | H01L29/47(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L21/8232(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I;H01L29/872(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/47(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 金世煜;苗堃 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具有：GaN层，与所述GaN层的Ga面形成肖特基接合的阳极电极，以及位于所述阳极电极的至少一部分与所述GaN层之间的InGaN层。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||