| 发明名称 | 外延浪涌保护器件 | ||
| 摘要 | 一种具有小面积掩埋区(38，60)以最小化器件电容的浪涌保护器件。在半导体衬底(34)中或在外延层(82)中形成掺杂区(38，60)，然后在其上形成外延层(40，84)以掩埋掺杂区(38，60)。通过最小化对芯片的高温和长时段处理来维持掩埋区(38，60)的小特征。在外延层(40，84)中形成发射极(42，86)。 | ||
| 申请公布号 | CN101878570B | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN200880113442.X | 申请日期 | 2008.08.28 |
| 申请人 | 力特保险丝有限公司 | 发明人 | R·A·罗德里格斯 |
| 分类号 | H02H3/20(2006.01)I | 主分类号 | H02H3/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李娜;李家麟 |
| 主权项 | 一种浪涌保护器件，包括：衬底；形成在所述衬底上的本征半导体材料层；形成在所述本征半导体材料层中的一个或多个掩埋区；形成在所述本征半导体材料层上的半导体基极区；形成在所述基极区中的发射极；以及由此当所述半导体基极区和所述本征半导体材料层之间的结被反向偏置时，所述本征半导体材料层中的耗尽区比所述半导体基极区中的耗尽区更宽，从而减小了所述浪涌保护器件的电容。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺伊州 | ||