肖特基二极管

摘要

本实用新型提供一种肖特基二极管，本实用新型所述肖特基二极管通过设置第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区均匀分布在所述势垒区的内部，所述第二掺杂区形成于所述第一掺杂区和所述外延层表面之间且每一所述第二掺杂区与所述第一掺杂区一一对应接触。所述第一掺杂区加一定反向电压后，第一掺杂区下面的PN结耗尽扩展区会连在一起保护肖特基势垒，减小肖特基二极管的常温漏电，从而达到提高了肖特基二极管的工作结温的目的，并显著改善了肖特基二极管的高温稳定性。

主权项

一种肖特基二极管，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有外延层；保护环，所述保护环位于所述外延层中；钝化层，所述钝化层位于所述外延层上并具有引线窗口，所述引线窗口暴露部分所述保护环；势垒合金层，形成于所述引线窗口中的外延层上；所述肖特基二极管还包括：若干平行排列且不相接触的第一掺杂区，位于所述引线窗口中的外延层中，并形成于所述保护环环绕的区域内，所述第一掺杂区浓度最大处距离所述外延层表面的垂直距离大于0.3μm；以及若干平行排列且不相接触的第二掺杂区，所述第二掺杂区形成于所述第一掺杂区和所述外延层表面之间且每一所述第二掺杂区与所述第一掺杂区一一对应接触。