发明名称 |
一种IGBT版图 |
摘要 |
本实用新型公开了一种IGBT版图,包括元胞区、位于所述元胞区周围的终端区、源极压焊点和多个栅极压焊点,所述栅极压焊点的数量与所述元胞区的顶点数相同,所述源极压焊点位于所述元胞区的中间位置,所述栅极压焊点均匀分布在所述源极压焊点的周围,且位于所述元胞区边缘区域,所述源极压焊点的面积占元胞区面积的比例范围为60%~80%,包括端点值。本实用新型提供的IGBT版图,多个栅极压焊点均匀分布在源极压焊点的周围,保证元胞区所有区域都能在相同的条件下开启,省略了gatebus,使gatebus对源极压焊点的限制消失,从而允许增加源极压焊点的面积,而大面积的源极压焊点可以缓解因电流集中效应产生的热集中现象。 |
申请公布号 |
CN203012721U |
申请公布日期 |
2013.06.19 |
申请号 |
CN201220652972.5 |
申请日期 |
2012.11.30 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所;江苏物联网研究发展中心;江苏中科君芯科技有限公司 |
发明人 |
赵佳;朱阳军;左小珍;田晓丽;胡爱斌 |
分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
王宝筠 |
主权项 |
一种IGBT版图,其特征在于,包括元胞区、终端区、源极压焊点和多个栅极压焊点,所述栅极压焊点的数量与所述元胞区的顶点数相同,所述终端区位于所述元胞区周围,所述栅极压焊点和所述源极压焊点位于所述元胞区上,所述源极压焊点位于所述元胞区的中间位置,所述栅极压焊点均匀分布在所述源极压焊点的周围,且位于所述元胞区边缘区域,其中,所述源极压焊点的面积占所述元胞区面积的比例范围为60%~80%,包括端点值。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 |