发明名称 |
提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法 |
摘要 |
公开了一种提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法,包括:将聚四氟乙烯薄膜放置于原子层沉积设备反应腔中;向所述原子层沉积设备反应腔中通入四氯化碳,使得所述四氯化碳中的碳原子吸附在所述聚四氟乙烯薄膜表面;向所述原子层沉积设备反应腔中通入含羟基基团的物质,所述聚四氟乙烯薄膜表面即生成高含量羟基基团的薄膜结构;逐层生长表面有高含量羟基基团的聚四氟乙烯薄膜。本发明提供的一种提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法,使用原子层沉积设备,利用原子层可精确控制沉积薄膜厚度的优点,在PTFE薄膜表面沉积0.5-3纳米厚度的亲水性羟基基团薄膜,可以显著提高PTFE薄膜的亲水性能和时效性能,该方法操作简单,成本低,改性效果显著。 |
申请公布号 |
CN103160807A |
申请公布日期 |
2013.06.19 |
申请号 |
CN201110421739.6 |
申请日期 |
2011.12.15 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
万军;赵柯杰;黄成强;饶志鹏;陈波;李超波;夏洋;吕树玲;石莎莉 |
分类号 |
C23C16/44(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/44(2006.01)I |
代理机构 |
北京市德权律师事务所 11302 |
代理人 |
刘丽君 |
主权项 |
一种提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法,其特征在于,包括:将聚四氟乙烯薄膜放置于原子层沉积设备反应腔中;向所述原子层沉积设备反应腔中通入四氯化碳,所述四氯化碳与所述聚四氟乙烯薄膜表面发生碳化学吸附,使得所述四氯化碳中的碳原子吸附在所述聚四氟乙烯薄膜表面;向所述原子层沉积设备反应腔中通入含羟基基团的物质,所述含羟基基团的物质与所述聚四氟乙烯薄膜表面发生卤代反应,待反应完全后,所述聚四氟乙烯薄膜表面即生成高含量羟基基团的薄膜结构;逐层生长表面有高含量羟基基团的聚四氟乙烯薄膜。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |