发明名称 提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法
摘要 公开了一种提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法,包括:将聚四氟乙烯薄膜放置于原子层沉积设备反应腔中;向所述原子层沉积设备反应腔中通入四氯化碳,使得所述四氯化碳中的碳原子吸附在所述聚四氟乙烯薄膜表面;向所述原子层沉积设备反应腔中通入含羟基基团的物质,所述聚四氟乙烯薄膜表面即生成高含量羟基基团的薄膜结构;逐层生长表面有高含量羟基基团的聚四氟乙烯薄膜。本发明提供的一种提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法,使用原子层沉积设备,利用原子层可精确控制沉积薄膜厚度的优点,在PTFE薄膜表面沉积0.5-3纳米厚度的亲水性羟基基团薄膜,可以显著提高PTFE薄膜的亲水性能和时效性能,该方法操作简单,成本低,改性效果显著。
申请公布号 CN103160807A 申请公布日期 2013.06.19
申请号 CN201110421739.6 申请日期 2011.12.15
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 万军;赵柯杰;黄成强;饶志鹏;陈波;李超波;夏洋;吕树玲;石莎莉
分类号 C23C16/44(2006.01)I 主分类号 C23C16/44(2006.01)I
代理机构 北京市德权律师事务所 11302 代理人 刘丽君
主权项 一种提高聚四氟乙烯薄膜亲水性的原子层沉积方法,其特征在于,包括:将聚四氟乙烯薄膜放置于原子层沉积设备反应腔中;向所述原子层沉积设备反应腔中通入四氯化碳,所述四氯化碳与所述聚四氟乙烯薄膜表面发生碳化学吸附,使得所述四氯化碳中的碳原子吸附在所述聚四氟乙烯薄膜表面;向所述原子层沉积设备反应腔中通入含羟基基团的物质,所述含羟基基团的物质与所述聚四氟乙烯薄膜表面发生卤代反应,待反应完全后,所述聚四氟乙烯薄膜表面即生成高含量羟基基团的薄膜结构;逐层生长表面有高含量羟基基团的聚四氟乙烯薄膜。
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