| 发明名称 | 具有晶体管区域互连的半导体设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有晶体管区域互连的半导体设备，该半导体设备用于实施至少一个逻辑组件。该半导体设备包含半导体基板，该半导体基板上形成有第一晶体管及第二晶体管。各该晶体管包括源极、漏极与栅极。CA层电性连接至该第一晶体管的该源极或该漏极中的至少一个。CB层电性连接至该等晶体管的该等栅极的至少一个及该CA层。 | ||
| 申请公布号 | CN103165575A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN201210536618.0 | 申请日期 | 2012.12.12 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | M·拉希德;S·索斯;J·桂;I·Y·林;J·B·格莱特;C·阮;J·金;M·泰拉比;Y·马;Y·邓;R·奥戈;S-H·李;S·约翰逊;S·坎格瑞;S·文卡特桑 |
| 分类号 | H01L23/528(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/528(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种半导体设备，包括：半导体基板；第一晶体管及第二晶体管，形成于该半导体基板上；各该晶体管包括源极、漏极与栅极；CA层，电性连接至该第一晶体管的该源极或该漏极中的至少一个；以及CB层，电性连接至该等晶体管的该等栅极中的至少一个及该CA层。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||