半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成半导体膜；用第一脉冲线性激光第一次照射所述半导体膜，同时在垂直于所述激光的纵向的方向移动衬底；用第二脉冲线性激光第二次照射半导体膜，同时在垂直于所述激光的纵向的方向移动所述衬底；利用所述半导体膜形成多个含有有源区的薄膜晶体管，每个有源区包括源区、漏区和在源区与漏区之间的沟道区；所述第一和第二次照射的步骤以每个激光脉冲的照射区域部分地被下一个激光脉冲覆盖的方式进行；和每个上述有源区以使所述源区和漏区连成的直线平行于所述第一和第二脉冲线性激光的纵向的方式形成。根据本发明，能极大地抑制各半导体器件特性的分散。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成非晶半导体膜；将所述衬底放置在设计成用于沿垂直于线性激光的方向移动的台上；实行包括150至300mJ/cm2的辐照作为预辐照和200至400mJ/cm2的辐照作为主辐照的两步辐照以形成结晶半导体膜；以及利用所述结晶半导体膜形成多个含有有源区的薄膜晶体管，每个所述有源区包括源区、漏区和在源区与漏区之间的沟道区；其中每个所述有源区以使连接所述源区和漏区的直线平行于所述线性激光的长边方向的方式形成，以及其中预辐射具有的能量密度比主辐射具有的能量密度更低。