半导体器件

摘要

提供了包括存储单元的半导体器件。存储单元包括晶体管、存储元件及电容器。存储元件的第一电极及第二电极中的一个以及电容器的第一电极及第二电极中的一个由同一金属膜形成。起着存储元件的第一电极及第二电极中的一个以及电容器的第一电极及第二电极中的一个的作用的金属膜与起着电容器的第一电极及第二电极中的另一个的作用的膜重叠。

主权项

一种包括存储单元的半导体器件，所述存储单元包括：晶体管，所述晶体管的栅极与字线电连接，并且所述晶体管的源极和漏极中的一个与位线电连接；存储元件，所述存储元件的第一电极与所述晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接；以及电容器，所述电容器的第一电极与所述晶体管的所述源极和所述漏极中的所述另一个电连接，并且所述电容器的第二电极与所述存储元件的第二电极电连接，其中：所述存储元件的所述第二电极和所述电容器的所述第二电极由同一金属膜形成；所述电容器的所述第一电极由具有杂质的半导体膜形成；并且起着所述存储元件的所述第二电极和所述电容器的所述第二电极的作用的所述金属膜与起着所述电容器的所述第一电极的作用的所述半导体膜重叠。