发明名称 光刻机曝光剂量控制方法
摘要 本发明的光刻机曝光剂量控制方法,包括以下步骤:步骤1,向光刻机的曝光剂量控制系统输入参数和剂量控制参数的约束条件;所述参数包括剂量系统性能偏好系数L_DA、客户成本偏好系数L_COO、硬件参数和曝光剂量需求Dose_req;步骤2,光刻机的曝光剂量控制系统对步骤1输入的上述参数和上述剂量控制参数的约束条件进行分析,选择偏好数学模型进行运算,得到剂量控制参数;步骤3,光刻机的曝光剂量控制系统输出剂量控制参数,控制光刻机进行曝光。本发明的光刻机曝光剂量控制方法灵活性强,测试过程中,操作简单、直观。
申请公布号 CN102081307B 申请公布日期 2013.06.19
申请号 CN200910199446.0 申请日期 2009.11.26
申请人 上海微电子装备有限公司 发明人 张俊;张志钢;罗闻
分类号 G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 屈蘅;李时云
主权项 一种光刻机曝光剂量控制方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,向光刻机的曝光剂量控制系统输入参数和剂量控制参数的约束条件;所述参数包括剂量系统性能偏好系数L_DA、客户成本偏好系数L_COO、硬件参数和曝光剂量需求Dose_req;所述硬件参数包括激光脉冲的有效能量Ep、扫描长度Lscan、有效狭缝宽度Wslit以及默认最大准备时间Tpreptime_max,所述激光脉冲的有效能量Ep由光刻胶和工艺确定;所述剂量控制参数的约束条件包括可变衰减器透过率VA的最大值VAmax、可变衰减器透过率VA的最小值VAmin,即VAmin≤VA≤VAmax,或者VA=1;脉冲频率f的最大值fmax、脉冲频率f的最小值fmin,即fmin≤f≤fmax;扫描速度V的最大值Vmax、扫描速度V的最小值Vmin,即Vmin ≤V≤Vmax;有效狭缝脉冲个数N的最大值Nmax、有效狭缝脉冲个数N的最小值Nmin,即Nmin≤N≤Nmax;步骤2,光刻机的曝光剂量控制系统对步骤1输入的上述参数和上述剂量控制参数的约束条件进行分析,选择偏好数学模型进行运算,得到剂量控制参数;步骤3,光刻机的曝光剂量控制系统输出剂量控制参数,控制光刻机进行曝光;所述步骤2中的偏好数学模型是综合考虑剂量系统性能偏好系数L_DA和客户成本偏好系数L_COO的算法,该算法根据输入的剂量系统性能偏好系数和客户成本偏好系数,分配权重调整有效狭缝脉冲个数,在剂量控制参数的约束条件下,设置脉冲频率或者扫描速度,利用脉冲频率、扫描速度、可变衰减器透过率、有效狭缝脉冲个数、有效狭缝宽度、曝光剂量需求和激光脉冲的有效能量之间的关系计算出扫描速度或脉冲频率、可变衰减器透过率,并使脉冲频率、扫描速度、可变衰减器透过率和有效狭缝脉冲个数均满足约束条件;所述步骤2中根据剂量系统性能偏好系数L_DA和客户成本偏好系数L_COO分配权重调整有效狭缝脉冲个数N时,当L_COO趋近于0时,有效狭 缝脉冲个数N趋近于Nmax,当L_DA趋近于0时,有效狭缝脉中个数N趋近于Nmin。
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