SRAM位单元装置与CAM位单元装置

摘要

本发明提供静态随机存取存储器(SRAM)与内容定址存储器(CAM)位单元的装置。在实施例中，一个位单元部分具有厚栅极氧化层的存储晶体管，读取部分具有薄栅极氧化层的晶体管。使用厚栅极氧化层于存储单元晶体管提供了稳定的数据存储与低漏电流。使用薄栅极氧化层于读取部分晶体管提供了快读取速度与低Vcc，min。本发明用来形成双重栅极氧化层厚度的SRAM单元，并且适用于现行的半导体工艺。实施例中揭露使用高k介电系数与双重介电材料于单一位单元，并且使用finFET与平面晶体管于一个位单元中。本发明也揭露形成这些构造的方法。本发明的SRAM位单元结构用以降低待机耗电、与改善的存取速度，同时不增加明显的步骤与成本。

主权项

一种SRAM位单元的装置，包括：一半导体基板；以及至少一个SRAM位单元，形成于所述半导体基板的一个部分；其中所述至少一个SRAM位单元还包括具备第一栅极介电层厚度的晶体管，与具备较薄的第二栅极介电层厚度的附加晶体管，所述较薄的第二栅极介电层厚度在所述第一栅极介电层厚度的75%‑99%之间，其中上述至少一个SRAM位单元包括一6T存储单元，包括具有上述第一栅极介电层厚度的NMOS晶体管，上述SRAM位单元的装置还包括一个或两个读取端口，包括具有上述较薄的第二栅极介电层厚度的NMOS晶体管。