薄膜晶体管及其制作方法和显示装置

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制作方法和显示装置，以解决现有技术中欧姆接触层的刻蚀工艺难控制，并且刻蚀液会对氧化物半导体层材料特性产生不利影响的问题。本发明中形成半导体层和欧姆接触层的过程包括：对于所述栅极绝缘层，在栅电极上方沟道内待形成半导体层和欧姆接触层的位置处，通过构图工艺形成包括放置半导体层图案的第一凹槽和放置欧姆接触层图案的第二凹槽的栅极绝缘层图案；在所述栅极绝缘层上，对应所述半导体图案形状的图案化位置处形成半导体层，对应所述欧姆接触层图案形状的图案化位置处形成欧姆接触层。通过本发明无需对欧姆接触层进行刻蚀，避免了刻蚀药液对氧化物半导体层及欧姆接触层材料的影响。

主权项

一种薄膜晶体管制作方法，包括形成栅电极、栅极绝缘层、刻蚀阻挡层和源漏电极层的过程，还包括形成半导体层和欧姆接触层的过程，其特征在于，所述形成半导体层和欧姆接触层的过程包括：对于所述栅极绝缘层，在栅电极上方沟道内待形成半导体层和欧姆接触层的位置处，通过构图工艺形成包括放置半导体层图案的第一凹槽和放置欧姆接触层图案的第二凹槽的栅极绝缘层图案；在所述栅极绝缘层上，对应所述第一凹槽内形成半导体层的图案，对应所述第二凹槽内形成欧姆接触层的图案。