半导体场效应晶体管的测试方法及测试结构

摘要

本发明公开了一种半导体场效应晶体管MOSFET的测试结构，由测试平台通过从MOSFET引出的焊垫对MOSFET进行测试，该结构包括：MOSFET和金属引线，还包括：两个源极pad：分别通过金属引线连接至MOSFET的两个源极；一个漏极pad，通过金属引线连接至MOSFET的漏极；一个栅极pad，通过金属引线连接至MOSFET的栅极；一个电压感应pad，通过金属引线连接至MOSFET的漏极。本发明还提供了一种MOSFET的测试方法，所述测试结构及测试方法提高了MOSFET测试准确性。

主权项

一种半导体场效应晶体管MOSFET的测试结构，由测试平台通过与MOSFET连接的焊垫pad对MOSFET进行测试，该结构包括：MOSFET和金属引线，其特征在于，还包括：两个源极pad：分别通过金属引线连接至MOSFET的两个源极；一个漏极pad，通过金属引线连接至MOSFET的漏极；一个栅极pad，通过金属引线连接至MOSFET的栅极。一个电压感应pad，通过金属引线连接至MOSFET的漏极，用于感应测试时漏极的真实电压。