一种三维芯片的金属键合结构

摘要

本实用新型涉及半导体制造领域，具体涉及一种三维芯片的金属键合结构。包括顶部芯片和底部芯片，所述顶部芯片的顶部二氧化硅层上设有凹槽，所述凹槽中设有顶部芯片铜，所凹槽与凹槽之间裸露顶部二氧化硅层部分上均设有氮化硅层，所述底部二氧化硅层上设有凹槽，所述凹槽中设有底部芯片铜，所述底部芯片铜的高度高于底部二氧化硅层，所述底部芯片铜与顶部芯片铜相连接，所述顶部芯片上氮化硅层与底部二氧化硅层相连接。本实用新型能在低温下进行金属与金属键合来达到芯片键合目的，使用氧化硅与氮化硅来配合金属与金属键合使键合质量更高，且氮化硅层薄膜还能阻止金属扩散至周围材料中，达到键合机构简单，可靠性高且成本低的效果。

主权项

一种三维芯片的金属键合结构,包括顶部芯片和底部芯片,其特征是:所述顶部芯片的顶部二氧化硅层上设有凹槽,所述凹槽中设有顶部芯片铜,所凹槽与凹槽之间裸露顶部二氧化硅层部分上均设有氮化硅层,所述底部二氧化硅层上设有凹槽,所述凹槽中设有底部芯片铜,所述底部芯片铜的高度高于底部二氧化硅层,所述底部芯片铜与顶部芯片铜相连接，所述顶部芯片上氮化硅层与底部二氧化硅层相连接。