发明名称 |
一种超级结MOSFET |
摘要 |
本实用新型提出了一种超级结MOSFET结构,其包括形成在衬底上的元胞区和包围所述元胞区的终端区,所述元胞区内和终端区内分别形成有间距相等的直条型沟槽,所述沟槽内形成有第一导电类型的第一外延层,所述沟槽之间为第二导电类型的第二外延层,所述终端区的沟槽沿从外向里的方向的排布方式一致。本实用新型的超级结MOSFET沿从终端区向元胞区的方向上,终端区各边的沟槽排布方式一致,即终端区各边的沟槽都沿从外向里的方向垂直排布,或终端区各边的沟槽都沿从外向里的方向平行排布。终端区各边的沟槽排布方式一致,使该超级结MOSFET的高压大电流的泄放在各边是平均的,泄流通道更大,泄流能力就更强。 |
申请公布号 |
CN203013734U |
申请公布日期 |
2013.06.19 |
申请号 |
CN201220611579.1 |
申请日期 |
2012.11.19 |
申请人 |
宁波比亚迪半导体有限公司 |
发明人 |
钟树理;朱超群;万祎;曾爱平;陈宇 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种超级结MOSFET结构,其特征在于,包括元胞区和终端区,所述终端区包围所述元胞区,所述元胞区内和终端区内分别形成有间距相等的直条型沟槽,所述沟槽内形成有第一导电类型的第一外延层,所述沟槽之间为第二导电类型的第二外延层,所述终端区各边的沟槽沿从外向里的方向的排布方式一致,所述第一导电类型为n型掺杂,所述第二导电类型为p型掺杂。 |
地址 |
315800 浙江省宁波市宁波保税区南区庐山西路155号 |