| 发明名称 | 在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法 | ||
| 摘要 | 一种在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：在该半导体衬底上生长二氧化硅层；步骤3：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤4：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的顶端有一Ga液滴；步骤5：采用高As压处理消耗纳米线顶端的Ga液滴，抑制顶端的纳米线的VLS生长，形成基片；步骤6：在低As压的环境中，在基片上淀积Ga液滴；步骤7：在As的环境中，在基片上纳米线的侧壁上，As与Ga液滴结合晶化形成量子环或者量子点。 | ||
| 申请公布号 | CN103165418A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN201310079069.3 | 申请日期 | 2013.03.13 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 査国伟;李密锋;喻颖;王莉娟;徐建星;尚向军;倪海桥;贺振宏;牛智川 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：在该半导体衬底上生长二氧化硅层；步骤3：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤4：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的顶端有一Ga液滴；步骤5：采用高As压处理消耗纳米线顶端的Ga液滴，抑制顶端的纳米线的VLS生长，形成基片；步骤6：在低As压的环境中，在基片上淀积Ga液滴；步骤7：在As的环境中，在基片上纳米线的侧壁上，As与Ga液滴结合晶化形成量子环或者量子点。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||