发明名称 | 防止IO上电过程中产生大电流的电平转换器结构 | ||
摘要 | 本发明公开了一种防止IO上电过程中产生大电流的电平转换器结构,包括第一、二N型场效应管、P型场效应管、第一、二、三反相器、第一、二耦合电容;第一N型场效应管的栅极接输入端,第二N型场效应管的栅极通过第三反相器接输入端,两N型场效应管源极接地;第一反相器的输入端和第二反相器的输出端与第一N型场效应管的漏极连接;第一反相器的输出端和第二反相器的输入端均与第二N型场效应管的漏极和P型场效应管的栅极连接;P型场效应管的源极接IO电源;第一耦合电容一端接地,另一端接第一N型场效应管的漏极,第二耦合电容一端接IO电源,另一端接P型场效应管的栅极。本发明既能实现低到高电平转换,又能抑制上电过程中大电流的产生。 | ||
申请公布号 | CN103166622A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
申请号 | CN201110408040.6 | 申请日期 | 2011.12.09 |
申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 李云艳 |
分类号 | H03K19/0175(2006.01)I | 主分类号 | H03K19/0175(2006.01)I |
代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 戴广志 |
主权项 | 一种防止IO上电过程中产生大电流的电平转换器结构,其特征在于:包括电平转换模块和电流抑制模块;所述电平转换模块包括第一N型场效应管、第二N型场效应管、P型场效应管、第一反相器、第二反相器和第三反相器,第三反相器连接信号输入端;所述电流抑制模块包括第一耦合电容和第二耦合电容;其中,所述第一N型场效应管的栅极连接信号输入端,源极及其衬底接地;所述第二N型场效应管的栅极连接第三反相器的输出端,源极及其衬底接地;所述第一反相器的输入端和第二反相器的输出端均与第一N型场效应管的漏极连接;所述第一反相器的输出端和第二反相器的输入端均与第二N型场效应管的漏极连接,同时都与P型场效应管的栅极连接;所述P型场效应管的源极及其衬底连接输入输出电源,漏极用于输出;所述第一耦合电容一端接地,另一端连接第一N型场效应管的漏极,第二耦合电容一端接输入输出电源,另一端连接P型场效应管的栅极;所述第一反相器和第二反相器由输入输出电源供电,第三反相器由内核电源供电。 | ||
地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |