发明名称 | 一种栅氧化层的制备方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种栅氧化层的制备方法,将氧气和一氧化二氮皆作为主要反应气体,能更好和更容易控制栅氧化层的反应时间,也使得制备的栅氧化层的厚度和均匀度得到良好的掌控,从而获得的超薄的栅介质层,同时增大了对温度的工艺窗口,使得对热预算控制精确的器件也能够使用本方法获得所需要的栅介质层,大大的提高了工艺适应性。 | ||
申请公布号 | CN103165432A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
申请号 | CN201310085199.8 | 申请日期 | 2013.03.15 |
申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 张红伟 |
分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
主权项 | 一种栅氧化层的制备方法,其特征在于,包括:提供衬底于RTP腔室中;在第一压强下通入包括氧气、一氧化二氮及氢气的反应气体;对所述衬底表面升温至反应温度,并持续一段时间;在所述衬底表面形成一层栅氧化层。 | ||
地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |