半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件，包含：柱状构造体，配置于衬底上，由p型硅(102)、n型硅(104)、及配置于p型硅与n型硅之间且相对于衬底朝垂直方向延伸的氧化物(116)所构成；配置于p型硅的上下的高浓度n型硅层(134、122)；配置于n型硅的上下的高浓度p型硅层(136、124)；绝缘物(127)，包围p型硅(102)、n型硅(104)及氧化物(116)，且发挥作为栅极绝缘体功能；及导电体(128)，包围绝缘物(127)，且发挥作为栅极电极功能。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包含：柱状构造体，配置于衬底上，且具有第1硅、第2硅及第1绝缘物；其中该第2硅的导电型与所述第1硅不同；该第1绝缘物由所述第1硅及所述第2硅所包夹，且相对于所述衬底朝垂直方向延伸；第1上下一对硅层，以包夹所述第1硅的方式配置在所述第1硅上下，且包含导电型与所述第1硅不同的第1高浓度杂质；第2上下一对硅层，以包夹所述第2硅的方式配置在所述第2硅上下，且包含导电型与所述第2硅不同的第2高浓度杂质；第2绝缘物，用以包围所述第1硅、所述第2硅、所述第1上下一对硅层、及所述第2上下一对硅层周围、与所述第1绝缘物；导电体，包围所述第2绝缘物周围；及第3绝缘物，配置在所述第1上下一对硅层内的配置在所述第1硅下的硅层与所述第2上下一对硅层内的配置在所述第2硅下的硅层的延伸至所述柱状构造体外的部分、与所述第2绝缘物间；所述导电体的上端较所述第1上下一对硅层内的上方的硅层与所述第2上下一对硅层内的上方的硅层的上端为低；所述第1上下一对硅层内的上方的硅层、与所述第2上下一对硅层内的上方的硅层电性连接；通过将第1电源供给至所述第1上下一对硅层内的下方的硅层，并且将第2电源供给至所述第2上下一对硅层内的下方的硅层来操作。