发明名称 多羟基硅氧烷光电导体
摘要 本发明公开了多羟基硅氧烷光电导体。成像元件括任选的支撑基材、光产生层、和至少一层包含至少一种电荷输送组分的电荷传输层、和与该电荷输送层接触并相邻的外涂层,并且该外涂层包含丙烯酸化多元醇、聚亚烷基二醇、交联剂、羟基官能化的硅氧烷和电荷输送组分。
申请公布号 CN101246319B 申请公布日期 2013.06.19
申请号 CN200810074225.6 申请日期 2008.02.13
申请人 施乐公司 发明人 K·-T·丁;J·F·亚努斯;R·K·克兰达尔;E·J·小雷迪根
分类号 G03G5/06(2006.01)I 主分类号 G03G5/06(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 段晓玲;韦欣华
主权项 一种成像元件,包括支撑基材、光产生层、和至少一层包含至少一种电荷输送组分的电荷输送层、和与所述电荷输送层接触并相邻的外涂层,并且该外涂层包含丙烯酸化多元醇、聚亚烷基二醇、交联剂、羟基官能化硅氧烷聚合物和电荷输送组分,并且其中所述羟基官能化硅氧烷聚合物由以下至少一个表示:HO‑Rz‑[SiR1R2‑O‑]n‑[Rz‑OH]b其中Rz表示[‑[CH2]w‑O‑]p,w为2到10,p为1到150;和其中R1和R2独立地表示具有2到20个碳的烷基;n为5到200;和b为0到1;HO‑Rx‑[SiR1R2‑O‑]n‑[Rx‑OH]b其中Rx表示(‑C‑Ra‑C)m‑(‑CO2‑Rb‑CO2‑)o‑(‑C‑Rc‑C)p‑(‑CO2‑Rd‑CO2‑)q其中Ra和Rc独立地表示衍生自多元醇的烷基或支化烷基;Rb和Rd独立地表示衍生自多元羧酸的烷基,该烷基包含1到20个碳原子;和m、o、p和q表示0到1的摩尔分数,使得o+m+p+q=1;和其中R1和R2独立地表示具有2到20个碳的烷基;n为5到200,和b为0到1。
地址 美国康涅狄格州