键合垫及其制造方法以及键合方法

摘要

本发明涉及键合垫及其制造方法以及键合方法。其中，键合垫包括半导体衬底上的钝化层和垫金属层，所述垫金属层与钝化层之间还有支撑金属层。另外，支撑金属层同时也用于重排布线，而垫金属层与支撑金属层之间还有一层扩散阻挡层。与现有技术相比，本发明由于在钝化层和垫金属层之间引入了支撑金属层，从而克服了现有技术中键合垫中的钝化层比较柔软所造成的打线封装失效或打线封装质量下降的问题。也避免将垫金属层的材质更换为昂贵的金属所带来的成本增加的问题。

主权项

半导体芯片的键合垫的制造方法，所述键合垫用于打线封装，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成的半导体器件结构之上具有钝化层，所述钝化层的材料为聚酰亚胺或苯并环丁烯或聚亚苯基苯并二噁唑；在钝化层上形成支撑金属层，所述支撑金属层的硬度大于钝化层的硬度；还包括步骤：图形化所述支撑金属层，形成重排布线路图形；在支撑金属层上形成垫金属层。