| 发明名称 | 相变存储器、存储器单元的隔离结构以及制造方法 | ||
| 摘要 | 一种相变存储器、存储器单元的隔离结构以及制造方法，其中相变存储器包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的字线；与字线连接的相变存储器单元；隔离沟槽，邻接并隔离所述字线；隔离晶体管，邻接并隔离同一字线上相邻相变存储器单元。本发明使用常关的场效应晶体管作为相变存储器中同一字线上相邻存储器单元的单元隔离，并在场效应晶体管的栅极施加反向偏置电压，相比现有的双沟槽隔离结构，更有效地消除了相邻存储器单元之间的漏电流，且结构简单、工艺更易于实现。 | ||
| 申请公布号 | CN102024839B | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
| 申请号 | CN200910195629.5 | 申请日期 | 2009.09.11 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 万旭东;吴关平;严博;张超;徐佳 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L21/765(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种相变存储器，其特征在于，包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的字线；与字线连接的相变存储器单元；隔离沟槽，邻接并隔离所述字线；隔离晶体管，邻接并隔离同一字线上相邻相变存储器单元，所述隔离晶体管的沟道区的底部位于字线内，所述隔离晶体管为常关型晶体管。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||