基片刻蚀方法及基片处理设备

摘要

本发明提出一种基片刻蚀方法和基片处理设备。所述基片刻蚀方法包括：S1：将待处理的基片放入反应腔室；S2：向所述反应腔室输入刻蚀气体；S3：开启激励电源以在所述反应腔室内产生等离子体；S4：开启偏压电源以向所述基片施加偏压功率；S5：关闭所述偏压电源且同时向所述反应腔室内输入沉积气体；S6：停止向所述反应腔室内输入沉积气体且同时开启所述偏压电源；和S7：重复步骤S5-S6直至完成刻蚀工艺。根据本发明，在整个刻蚀工艺过程中始终保持等离子体的存在，并在刻蚀工艺过程之中穿插沉积步骤，因此在沉积步骤时也可以将部分的沉积聚合物刻蚀掉。从而基片的最终刻蚀剖面具有很好的连续性，实现了刻蚀剖面侧壁的平滑。

主权项

一种基片刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将待处理的基片放入反应腔室；S2：向所述反应腔室输入刻蚀气体；S3：开启激励电源以在所述反应腔室内产生等离子体；S4：开启偏压电源以向所述基片施加偏压功率；S5：关闭所述偏压电源且同时向所述反应腔室内输入沉积气体；S6：停止向所述反应腔室内输入沉积气体且同时开启所述偏压电源；和S7：重复步骤S5‑S6直至完成刻蚀工艺。