半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：位线，所述位线沿第一方向延伸；垂直栅单元，包括被形成为柱体形状的栅氧化物层和栅金属层；下电极和数据储存材料层，形成在垂直栅单元上；以及互连层，形成在数据储存材料层上。

主权项

一种制造半导体存储器件的方法，包括以下步骤：在位线上形成栅单元材料层；沿所述位线延伸的方向将所述栅单元材料层的一部分刻蚀成线形，以形成线形刻蚀区域；在所述线形刻蚀区域中形成第一间隔件绝缘层；对所述第一间隔件绝缘层执行回蚀工艺，以暴露所述位线并形成回蚀区域；在所述第一间隔件绝缘层之下形成第一氧化物层；在所述回蚀区域中形成第一掩埋绝缘层；沿与所述位线延伸的方向相垂直的方向刻蚀所述栅单元材料层，以形成第一沟槽；在所述第一沟槽中在所述栅单元材料层的侧壁上形成第二间隔件绝缘层；对所述第二间隔件绝缘层执行回蚀工艺以暴露所述位线；在所述第二间隔件绝缘层之下形成第二氧化物层；在所述第一沟槽中形成第二掩埋绝缘层；去除所述第一间隔件绝缘层和所述第二间隔件绝缘层；在通过去除所述第一间隔件绝缘层和所述第二间隔件绝缘层而形成的空间中顺序地形成栅氧化物层和栅金属层；去除所述栅金属层和所述栅氧化物层的一部分；在通过去除所述栅金属层和所述栅氧化物层的一部分而形成的空间中形成第三掩埋绝缘层；去除所述栅单元材料层的上部；在通过去除所述栅单元材料层的上部而形成的空间中顺序地形成下电极和数据储存材料层；以及在所述数据储存材料层上形成互连层。