电可擦可编程只读存储器

摘要

本发明公开一种电可擦可编程只读存储器(EEPROM)，至少包括：半导体衬底；于该半导体衬底上设置深N阱；于该深阱上设有P阱，该P阱上具有间隔设置的源极区域和漏极区域及沟道区，该沟道区位于该源极区域与该漏极区域之间；第一浮栅，设置于该沟道区和该源极区域上方，第二浮栅，设置于该沟道区和该漏极区域上方，该第一浮栅和该第二浮栅分别构成第一存储位单元和第二存储位单元；第一控制栅和第二控制栅，分别设置于该第一浮栅和该第二浮栅上方；以及字线，位于该沟道区上方并位于该第一浮栅和第二浮栅之间，本发明通过在半导体衬底上增加一深n阱，为了实现位擦除，其可以将P-well相互隔开从而可以单独控制，避免了使用字线电压选择开关，减少了芯片的面积。

主权项

一种电可擦可编程只读存储器，至少包括：半导体衬底；于该半导体衬底上设置深N阱；于该深阱上设有P阱，该P阱上具有间隔设置的源极区域和漏极区域及沟道区，该沟道区位于该源极区域与该漏极区域之间；第一浮栅，设置于该沟道区和该源极区域上方，第二浮栅，设置于该沟道区和该漏极区域上方，该第一浮栅和该第二浮栅分别构成第一存储位单元和第二存储位单元；第一控制栅和第二控制栅，分别设置于该第一浮栅和该第二浮栅上方；以及字线，位于该沟道区上方并位于该第一浮栅和第二浮栅之间。