发明名称 | 制备MSM结构CZT探测器的方法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种制备MSM结构CZT探测器的方法。该方法通过贴压的方法,将电极与CZT晶体进行组装,从而避免了CZT晶体的损伤,解决了小尺寸CZT晶体边缘附近电极图形化困难等工艺问题,简化了制备工艺。 | ||
申请公布号 | CN103165757A | 申请公布日期 | 2013.06.19 |
申请号 | CN201310106858.1 | 申请日期 | 2013.03.29 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 裴为华;归强;陈三元;陈远方;陈弘达 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 曹玲柱 |
主权项 | 一种制备MSM结构CZT探测器的方法,其特征在于,包括:在第一弹性衬底和第二弹性衬底的凸起平台上分别制备贴附电极;将基座夹具、所述第一弹性衬底、CZT探测器晶体、所述第二弹性衬底,以及入射面夹具依次叠层并对准,其中,所述第一弹性衬底和第二弹性衬底具有贴附电极的表面朝向内侧的所述CZT探测器晶体;在所述基座夹具和入射面夹具的外侧施加压力,使所述第一弹性衬底和第二弹性衬底上的凸起平台产生形变,位于凸起平台上的所述贴附电极得以附着在所述CZT探测器晶体的上下两面;以及在第一弹性衬底和第二弹性衬底之间除ZCT晶体与之压贴接触的区域之外,注入灌封胶,待灌封胶固化后形成MSM结构CZT探测器。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |