一种硅刻蚀工艺

摘要

本发明涉及一种硅刻蚀工艺，应用于一硅衬底上，所述硅衬底的上表面覆盖一层保护膜，包括如下步骤：旋涂光刻胶覆盖所述保护膜的上表面，经曝光、显影后去除多余的光刻胶，于所述保护膜的上表面形成具有刻蚀图形的光阻；以所述光阻为掩膜，刻蚀所述保护膜至所述硅衬底的上表面；继续离子注入工艺，于所述硅衬底中形成掺杂区；去除所述光阻后，以剩余的所述保护膜为掩膜刻蚀所述掺杂区，形成沟槽。本发明方法能够使在整个硅刻蚀工艺中的刻蚀效果能够得到更好的控制，且本发明方法的工艺相较传统硅刻蚀工艺中的干法刻蚀过程更为简单。

主权项

一种硅刻蚀工艺，应用于一硅衬底上，所述硅衬底的上表面覆盖有一层保护膜，其特征在于，包括以下步骤：旋涂光刻胶覆盖所述保护膜的上表面，曝光、显影后，去除多余的光刻胶，于所述保护膜的上表面形成具有刻蚀图形的光阻；以所述光阻为掩膜，刻蚀所述保护膜至所述硅衬底的上表面；继续离子注入工艺，于所述硅衬底中形成掺杂区；去除所述光阻后，以剩余的所述保护膜为掩膜刻蚀所述掺杂区，形成沟槽。