MOS器件及其形成方法

摘要

本发明提供一种MOS器件的形成方法，包括：首先，提供半导体衬底；该半导体衬底至少包括三个区域，其中，第一区域用于形成栅极区，与第一区域相邻的第二、三区域分别用于形成源区与漏区；接着，刻蚀所述第一区域的半导体衬底形成开口，在所述开口内形成栅极绝缘层，之后形成部分位于所述开口内的栅极层；然后在所述第二区域、第三区域分别进行不同深度掺杂，形成均具有深结与浅结的源区与漏区；之后在所述栅极层形成金属硅化物栅，源区与漏区形成金属硅化物接触。本发明还提供了利用上述方法形成的MOS器件。采用本发明的技术方案，既可以减小接触电阻，又不会造成源区与漏区漏电现象。

主权项

一种MOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底至少包括三个区域，其中，第一区域用于形成栅极区，与第一区域相邻的第二区域、第三区域分别用于形成源区与漏区；刻蚀所述第一区域的半导体衬底形成开口，在所述开口内形成栅极绝缘层，之后形成部分位于所述开口内的栅极层；在所述第二区域、第三区域分别进行不同深度的掺杂，形成均具有深结与浅结的源区与漏区；在所述栅极层形成金属硅化物栅，源区与漏区形成金属硅化物接触。