发明名称 高纯氧化镁粉体的制备方法
摘要 本发明涉及一种高纯氧化镁粉体的制备方法,属于湿法冶金领域。其制备步骤包括:用去离子水溶解氯化镁,配制氯化镁溶液;根据溶解平衡原理,计算各杂质离子的起始沉淀pH值,确定Fe、Al、Si杂质的沉淀pH范围,加入碱性试剂,调节pH值,中和沉淀,过滤,以除去Fe、Al、Si等杂质,滤液待用;在滤液中加入碱性试剂,中和沉淀Mg,过滤分离,得到滤饼;将得到的滤饼在烘箱中保持120℃恒温,烘干得到Mg(OH)2;再在920℃恒温煅烧3小时,破碎,筛分得到MgO粉体。本发明采用的方法简单易行,易于量产化生产,成本低;制备的MgO粉体,其金属杂质离子满足PDP介质层对MgO材料纯度的要求,可用于制备MgO光学镀膜材料。
申请公布号 CN102398911B 申请公布日期 2013.06.19
申请号 CN201010281027.4 申请日期 2010.09.13
申请人 北京有色金属研究总院 发明人 王星明;何芬;段华英;张碧田;储茂友;石志霞;孙静;韩沧
分类号 C01F5/08(2006.01)I 主分类号 C01F5/08(2006.01)I
代理机构 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人 耿小强
主权项 一种高纯氧化镁粉体的制备方法,包括以下步骤:(1)用去离子水溶解氯化镁,配制氯化镁溶液;(2)计算各杂质离子的起始沉淀pH值,确定Fe、Al、Si杂质的沉淀pH范围,在步骤(1)所得的氯化镁溶液中加入碱性试剂,所述的碱性试剂为氨水或碳酸铵,调节pH值,使Fe、Al、Si杂质沉淀,过滤,除去Fe、Al、Si杂质,滤液待用;(3)计算Mg的起始沉淀pH值,确定Mg的沉淀pH范围,在得到的滤液中加入碱性试剂,使Mg沉淀,过滤分离,得到滤饼;(4)将得到的滤饼在烘箱中保持120℃恒温,烘干得到Mg(OH)2;(5)将Mg(OH)2放入箱式电阻炉中,920℃恒温煅烧3小时,破碎,筛分得到MgO粉体。
地址 100088 北京市海淀区新街口外大街2号
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