MOS晶体管及其形成方法

摘要

一种MOS晶体管及其形成方法，所述MOS晶体管的形成方法包括：提供基底，所述基底具有栅极区域；在所述栅极区域两侧的基底内形成源区和漏区，并在所述基底上形成栅极结构和第一介质层，所述栅极结构形成于所述基底的栅极区域表面，所述第一介质层与所述栅极结构之间形成有空隙。本发明减小了MOS晶体管栅电极与源漏区上的栓塞之间的寄生电容，提高了响应速度，降低了功耗。

主权项

一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有栅极区域；在所述栅极区域两侧的基底内形成源区和漏区，并在所述基底上形成栅极结构和第一介质层，所述栅极结构形成于所述基底的栅极区域表面，所述第一介质层与所述栅极结构之间形成有空隙；所述基底上形成有伪栅结构，定义出所述栅极区域，所述在所述栅极区域两侧的基底内形成源区和漏区，并在所述基底上形成栅极结构和第一介质层包括：在所述伪栅结构两侧的基底内形成源区和漏区并在所述伪栅结构的侧壁上形成第一可灰化侧墙；在所述基底、伪栅结构和第一可灰化侧墙上形成所述第一介质层并平坦化，所述第一介质层的表面与所述伪栅结构的表面齐平；去除所述伪栅结构，在所述伪栅结构的位置形成开口；在所述开口中形成所述栅极结构，所述栅极结构部分填充所述开口；在所述栅极结构上方的开口侧壁上形成第二可灰化侧墙；在所述第二可灰化侧墙之间的开口中填满第二介质层并进行平坦化，所述第二介质层的表面与所述第一介质层齐平且暴露出所述第一可灰化侧墙和第二可灰化侧墙的顶部；灰化去除所述第一可灰化侧墙和第二可灰化侧墙，在所述第一可灰化侧墙和第二可灰化侧墙的位置分别形成第一空隙和第二空隙。