硅微通道板真空填蜡结构释放方法

摘要

硅微通道板真空填蜡结构释放方法属于硅微细加工技术领域。现有技术工艺步骤较多，背部减薄消耗大量药品，且容易带来二次污染，石蜡填充效果差，盲孔率高，硅微通道板质量及成品率低。本发明在填蜡后抛光硅片背部，然后清洗并去蜡，其特征在于，所述填蜡工序是将经电化学腐蚀并清洗后的硅片与凝固状态的石蜡一同放入容器内，再将放置有所述硅片和石蜡的容器放入真空加热炉，抽真空后加热至所述石蜡熔化，熔化后的石蜡布满硅片正面，再将炉腔恢复常压，之后降温至室温。本发明填蜡充分，最后硅片的盲孔率仅为3.82×10-4%，硅微通道板质量及成品率大幅提高。另外，本发明不含硅片背部减薄工序，这也避免了药品的大量消耗和带来的二次污染。

主权项

一种硅微通道板真空填蜡结构释放方法，在填蜡后抛光硅片背部，然后清洗并去蜡，其特征在于，所述填蜡工序是将经电化学腐蚀并清洗后的硅片与凝固状态的石蜡一同放入容器内，再将放置有所述硅片和石蜡的容器放入真空加热炉，抽真空后加热至所述石蜡熔化，熔化后的石蜡布满硅片正面，再将炉腔恢复常压，之后降温至室温。