一种深槽型超级结终端保护结构

摘要

本发明公开了一种深槽型超级结终端保护结构，终端区由硅衬底上形成的多条宽窄不同，彼此间隔距离不同的沟槽环构成，芯片内部沟槽环刻蚀有多条宽度相同的深沟槽，最外围沟槽环的宽度是a，芯片内部深沟槽宽度是b；其中，所述最外围沟槽环在倒角处外侧变宽，所述最外围沟槽环倒角(转角)处沟槽宽度大于该沟槽其它位置沟槽宽度。本发明的超级结终端保护结构，通过在最外圈的深槽环外侧增加宽度，在不会影响沟槽之间耗尽的情况下，能使沟槽填充更加充分，能避免深槽环转角位置产生部分填充的情况，提高产品的性能和可靠性。

主权项

一种深槽型超级结终端保护结构，在衬底上刻蚀有多条宽窄不同，彼此间隔距离不同的沟槽环，芯片内部沟槽环内刻蚀有多条宽度相同的深沟槽，最外围沟槽环的宽度是a，芯片内部深沟槽宽度是b，a＜b；其特征是：所述最外围沟槽环在倒角处外侧变宽，所述最外围沟槽环倒角处沟槽宽度大于该沟槽其它位置沟槽宽度。